三星HBM3E内存性能未达要求：年内供货NVIDIA悬了

摘要： 12月12日消息，据韩国媒体报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求，今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫，实际供货预计将推迟至2025年。...

12月12日消息，据韩国媒体报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求，今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫，实际供货预计将推迟至2025年。

报道指出，三星电子自2023年10月起便开始向英伟达提供HBM3E内存的质量测试样品，但在一年多的时间里，认证流程并未取得明显进展。

消息人士透露，SK海力士在HBM3E技术上的领先地位，实际上已经为这一内存设定了性能参数标准，而三星电子的HBM3E在发热和功耗等关键性能参数上未能满足英伟达的严格要求。

SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术，而三星电子与美光则采用的是TC-NCF热压非导电薄膜技术。

尽管三星电子在全球HBM和NAND市场中曾占据领导地位，但目前看来，其在HBM3E领域的竞争中已落后于竞争对手。

不过三星电子仍计划在2025年第一季度开始向英伟达等大客户供应HBM3E，并期望通过下一代HBM4工艺获得竞争优势。