台积电加速美国建厂计划:第三/四座晶圆厂今年动工,预计当地生产三成2nm芯片

上个月,台积电(TSMC)宣布有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造。此前台积电已投资了650亿美元在亚利桑那州凤凰城建造先进半导体设施,建造了两座晶圆厂。台积电将以此为基础,预计投资总额将达到1650亿美元,扩大投资计划包括三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心。

台积电加速美国建厂计划:第三/四座晶圆厂今年动工,预计当地生产三成2nm芯片

据TrendForce报道,随着2025年第一季度财报的发布,台积电对其美国扩张计划提供了更清晰的信息。亚利桑那州凤凰城Fab 21的第二座晶圆厂已于2024年第四季度完工,不过还需要几个季度才能投入生产,而第三座和第四座晶圆厂将于今年晚些时候开始建设。台积电表示,美国客户需求强劲,因此选择加快当地扩张步伐。

亚利桑那州凤凰城Fab 21的第一座晶圆厂采用的是4nm工艺生产线,第一座晶圆厂将提升至3nm工艺,计划2027年至2028年量产,第三座和第四座晶圆厂将采用更先进的制程技术,预计是基于2nm制程节点的N2和A16工艺。台积电预计,完工后其大概30%的2nm芯片将在美国制造。

台积电加速美国建厂计划:第三/四座晶圆厂今年动工,预计当地生产三成2nm芯片

此外,台积电董事长兼首席执行官魏哲家反驳了外界关于日本熊本第二座晶圆厂延期建设的说法,表示市场对成熟及特种制程技术的需求依然强劲。除了日本外,台积电还在推进德国德累斯顿的建厂计划,这是欧洲第一家支持FinFET的纯代工业务晶圆厂。

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